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測(cè)試探針卡頓怎么辦

標(biāo)簽:

測(cè)試探針是由針頭、針管、探針彈簧組成。用戶買回來(lái)的測(cè)試探針,

一、應(yīng)先觀察測(cè)試探針的套管是否彎曲;

二、觀察測(cè)試探針的套管的鍍金顏色;

二、先按壓一下測(cè)試探針,看其彈簧是否卡頓

如出現(xiàn)上述問(wèn)題時(shí),應(yīng)怎么解決呢?

一、當(dāng)發(fā)現(xiàn)測(cè)試探針的套管彎曲時(shí),應(yīng)先挑出來(lái),不要著急安裝在機(jī)器上

二、發(fā)現(xiàn)測(cè)試探針的鍍金顏色不好時(shí)、應(yīng)立馬與供應(yīng)商聯(lián)系

三、如已安裝在機(jī)器上,發(fā)現(xiàn)測(cè)試時(shí)卡頓,不要再繼續(xù)使用,與供應(yīng)商聯(lián)系,看是否退回來(lái)處理。

華榮華測(cè)試探針廠家

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備之探針測(cè)試主要趨勢(shì)

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備之探針測(cè)試主要趨勢(shì)

探針測(cè)試行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)(1)設(shè)備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導(dǎo)體器件主要通過(guò)提高集成度的方式實(shí)現(xiàn)更多功能或更快響應(yīng)。為此,半導(dǎo)體制造過(guò)程一般會(huì)縮小器件特征尺寸,如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級(jí)別縮小至納米級(jí)別,最小已達(dá)3納米;在光電芯片中,最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外,為避免器件集成度提高后單位制造成本過(guò)度上漲,業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓,通過(guò)在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本,目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸,逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。

2022-05-30

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